자소서 · 삼성전자 / 공정기술
4. 지원한 직무 관련 본인이 갖고 있는 전문지식/경험(심화전공,프로젝트,논문,공모전 등)을 작성하고, 바탕으로 본인이 지원 직무에 적합한 사유를 구체적으로 서술해주시기 바랍니다. 아스펜플러스를 이용해 공정 수율을 향상시킨 프로젝트에 대한 내용을 적어도 될까요?? 주제는 그린암모니아 합성 공정입니다. 반도체 공정기술과 관련이 없는데 적어도 될까요,,,??
2025.08.28
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하이닉스, 삼전 둘다 이미 몇년 전에 메모리 공정에서도 HKMG 공정을 도입 한 걸로 아는데요. Gate Stack(HKMG)에서 Si-High K 사이 간 계면결함이 심한거는 알고 있는데, High-K (HfO2,HfSiO등) - Metal 사이에도 계면 결함 등의 이슈가 있나요??
MSM 포토디텍터 실험에서 파라미터에 따른 I–V 특성이 기존 이론과 다르게 나타났고, 이에 대해 A·B 공정 과정에서의 산화막 형성 문제를 주요 원인으로 판단했습니다. TEM, SEM 등을 도입해 표면 상태를 정량적으로 파악하고, 문제점을 제거하는 공정 최적화 필요성을 생각했습니다. 하지만 수업 특성상 공정을 반복하여 소자를 제작하지 못해, 실험 개선이나 두번째 세번째 데이터 확보까지는 진행하지 못했습니다. 이런 경험도 문제 인식 → 원인 분석 → 개선 방향 제시 흐름만으로 공정 직무 자소서 소재로 활용할 수 있을까요? 실험 반복이 없다는 점에서 설득력이 약한거 같아 걱정입니다. 거짓 없이 어떻게 풀어야 할까요 ㅠㅠㅠ
선배님들 안녕하세요, 신소재공학과 3학년 학부생입니다. 삼성전자 공정기술, SK하이닉스 양산기술 취업을 목표로 현재 WBG(와이드 밴드갭)반도체 랩실에서 학부연구생 활동 중 입니다. 경험 정리를 하던 중 아래 내용이 문제 해결 경험으로 볼 수 있는지 궁금하여 여쭤봅니다! 학부 연구 과정에서 UVtron의 200~400nm 광응답도 측정 중, 반응이 없어야 할 영역에서 UVC 수준의 전류 상승을 관찰했습니다. 원인을 추적한 결과, 실험 장비 monochromator의 2차 회절광(Second Order light)으로 인한 현상임을 규명했습니다. 기존 SiC·Ga₂O₃ 기반 소자는 낮은 감도로 문제를 드러내지 못했으나, UVtron을 통해 처음 확인할 수 있었고, 이로 인해 기존 데이터의 오류 가능성을 알리며 측정 방법을 개선하도록 기여했습니다. 장비의 문제가 아닌 장비의 구조와 회절 격자의 물리적 특성에 의해 발생하는 현상이어서 이것을 문제 해결경험으로 볼수있을지 궁금합니다.
하이닉스, 삼전 둘다 이미 몇년 전에 메모리 공정에서도 HKMG 공정을 도입 한 걸로 아는데요. Gate Stack(HKMG)에서 Si-High K 사이 간 계면결함이 심한거는 알고 있는데, High-K (HfO2,HfSiO등) - Metal 사이에도 계면 결함 등의 이슈가 있나요??
MSM 포토디텍터 실험에서 파라미터에 따른 I–V 특성이 기존 이론과 다르게 나타났고, 이에 대해 A·B 공정 과정에서의 산화막 형성 문제를 주요 원인으로 판단했습니다. TEM, SEM 등을 도입해 표면 상태를 정량적으로 파악하고, 문제점을 제거하는 공정 최적화 필요성을 생각했습니다. 하지만 수업 특성상 공정을 반복하여 소자를 제작하지 못해, 실험 개선이나 두번째 세번째 데이터 확보까지는 진행하지 못했습니다. 이런 경험도 문제 인식 → 원인 분석 → 개선 방향 제시 흐름만으로 공정 직무 자소서 소재로 활용할 수 있을까요? 실험 반복이 없다는 점에서 설득력이 약한거 같아 걱정입니다. 거짓 없이 어떻게 풀어야 할까요 ㅠㅠㅠ
선배님들 안녕하세요, 신소재공학과 3학년 학부생입니다. 삼성전자 공정기술, SK하이닉스 양산기술 취업을 목표로 현재 WBG(와이드 밴드갭)반도체 랩실에서 학부연구생 활동 중 입니다. 경험 정리를 하던 중 아래 내용이 문제 해결 경험으로 볼 수 있는지 궁금하여 여쭤봅니다! 학부 연구 과정에서 UVtron의 200~400nm 광응답도 측정 중, 반응이 없어야 할 영역에서 UVC 수준의 전류 상승을 관찰했습니다. 원인을 추적한 결과, 실험 장비 monochromator의 2차 회절광(Second Order light)으로 인한 현상임을 규명했습니다. 기존 SiC·Ga₂O₃ 기반 소자는 낮은 감도로 문제를 드러내지 못했으나, UVtron을 통해 처음 확인할 수 있었고, 이로 인해 기존 데이터의 오류 가능성을 알리며 측정 방법을 개선하도록 기여했습니다. 장비의 문제가 아닌 장비의 구조와 회절 격자의 물리적 특성에 의해 발생하는 현상이어서 이것을 문제 해결경험으로 볼수있을지 궁금합니다.
답변 9
채택된 답변멘티님, 그린암모니아 합성 공정과 아스펜플러스 활용 경험이 반도체와 직접 연결되진 않지만, 공정해석·시뮬레이션 스킬, 수율향상 기여 경험 자체는 메모리사업부 공정기술에서도 충분히 어필 가능합니다 이 경험을 단순히 소재가 아니라 “공정 최적화, 수율 개선, 데이터 기반 문제해결 능력” 관점에서 연결해서 작성하면 직무 적합성이 높게 평가됩니다 즉, 시뮬레이션 도구로 공정 변수 관리, 품질 향상, 트러블슈팅 역량을 강조하면 전공분야 차이에도 불구하고 신입채용에서는 장점이 됩니다 원리와 전개방식을 “공정 데이터 분석→개선 기여” 식으로 바꿔 어필하시면 좋은 결과 얻으실 수 있습니다 채택부탁드리며 파이팅입니다!
